Oxide coated Wafer
　4"Prime_test silicon wafer (coated layer)
　DIAMETER 　100+/-0.5mm
　Type & Dopant

　N
　Orientation  　(100)+/-1 deg.
　Res

　0.55~ 1 ohm.cm
　Thickness

　525+/-25um
　Flat 　two flat
　TTV/BOW/Warp 　8/30/30um max
　Particle 　10ea @ 0.3um
　Surface 　Polished/Etched
　Package 　AL-package
　Oxide layer

　1000 Å +/-10%
(with thermal process:APCVD)

   
　4"Prime_test silicon wafer (coated layer)
　DIAMETER 　100+/-0.5mm
　Type & Dopant

　N
　Orientation  　(100)+/-1 deg.
　Res

　0.55~ 1 ohm.cm
　Thickness

　525+/-25um
　Flat 　two flat
　TTV/BOW/Warp 　8/30/30um max
　Particle 　10ea @ 0.3um
　Surface 　Polished/Etched
　Package 　AL-package
　Oxide layer

　3000 Å +/-10%
(with thermal process:APCVD)
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